 Компания Micron Technology заявила о начале коммерческого производства многослойных чипов памяти DRAM, который до десяти раз быстрее обрабатывают информацию.
Новинка построена на технологии, впервые применённой корпорацией IBM: соединении нескольких чипов в куб. Таким образом, память складывается из нескольких чипов, которые с помощью вертикальных перемычек превращаются в миниатюрный кубик, получивший название Micron Hybrid Memory Cube. Такая память гарантирует пропускную способность не 12,8 Гб/с, которой сегодня могут похвастаться лидеры рынка, а 128 Гб/с.
Что касается энергозатрат на работу Micron Hybrid Memory Cube, то они снижаются на 70%, а физического пространства занимают и вовсе в 10 раз меньше, чем существующие на рынке аналоги.
«Кубики» памяти будут выпускаться на заводе IBM в США. В производстве будут использоваться транзисторы с металлическим затвором, а также технологии High-K Metal Gate (повышенной диэлектрической проницаемости).
Что касается сферы их использования, то представители компании Micron Technology убеждены, что в первую очередь их разработка будет востребована в электронных системах, ведущих высокопроизводительные вычисления, в промышленности и, конечно же, обычными пользователями.
На рынок первые образцы памяти на основе 3D-полупроводников выйдут, как планируется, уже в середине 2013 года.
|
